胡正明

Chenming Hu

生卒

1947 年生

国籍

美国（生于北京，成长于台湾）

身份

微电子学家，鳍式场效应晶体管（FinFET）发明人之一

1947年生于北京，在台湾长大，台大电机系毕业后赴伯克利深造并长期执教。他主持开发的BSIM模型成为全球芯片设计的第一个业界标准晶体管模型；1999年与团队提出三维的鳍式晶体管FinFET，解决了平面晶体管继续缩小时的漏电难题，22纳米以下的先进芯片普遍采用这一结构。2016年在白宫获颁美国国家技术与创新奖章。